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Rapidus猛攻2nm制程 产能宗旨一年翻三倍 - 拉什福德

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Rapidus猛攻2nm制程 产能宗旨一年翻三倍

Rapidus于2025年4月启动试产线,同年8月成2nm GAA测试芯片流片,并谋划于2026年第一季度向主顾交付2nm PDK。

与此同时,Rapidus已之手筹划更前卫之1.4nm制程,宗旨2029年实现量产。

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快科技2月13日消息,据wccftech报道,Rapidus正加速推进2nm制程量产谋划,宗旨2028年实现全面量产。

于工艺性能上,Rapidus推出名为"2HP"之尖端2nm工艺,逻辑密度达237.31 MTr/mm²,与台积电N2工艺之236.17 MTr/mm²基本持平,均属高密度单元库范畴,相较英特尔Intel 18A之184.21 MTr/mm²优势明显。

Rapidus由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠、软银等八家日本企业于2022年共同成立,致力于前卫半导体工艺之本土化设计与制造。

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目前Rapidus正北海道千岁市建立革新集结制造工厂,作为2nm芯片之制造基地。

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产能方面,Rapidus预计2027年初期月产能为6000片晶圆,仅一年后便谋划提升至约2.5万片,增幅超过四倍。

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