1c DRAM现有产能基数 伯恩斯坦公司之剖析师戴维·道则预计，SK海力士之此份订单将使得其于两年内新增约30台EUV光刻机。
上图可见，2023年、2024年、2025年，ASML之EUV光刻设备数量分别为53台、44台与48台。
三星电子业绩之反弹，得益于为制造端两大枢纽本领之集中释放：一为HBM 高端产能之快速爬坡与精准交付。
者工智能数据中心对内存需求之爆发式增益，导致PC与智能手机等耗费级IT设备之DRAM供应趋紧，进一步推高之货品价码。
据悉，SK海力士于与英伟达讨论2026年HBM之产量时，大幅增之HBM3E之产量。
以下为关于上述五点之实在剖析：。
2025年第一季度，SK海力士占据之全球DRAM商场36%之份额，略高于三星电子之34%与美光之25%。
SK海力士之采购谋划具备明确之产能落地支撑。
三星同样于推进相关陈设，其研发之 12 层堆叠（12-Hi）、16 层堆叠（16-Hi）HBM4 货品，均会采用 1c DRAM 技艺。
ASML之EUV产能供给本领 存储双雄EUV光刻机保有量 第一，两大巨头当前EUV光刻机保有量。
随后于2025年第三季度，三星电子DRAM销售额达到139.42亿美元，环比增益29.6%，商场份额回升至34.8%，重新夺回行业榜首。
于探究三星、SK海力士两大存储龙头大举采购EUV光刻机之方略逻辑前，需先体系梳理五大核心影响因素，此些因素直接决定之两家企业之采购规模、节奏及行业后续气象： 还需注意之为，日前ASML于财报中写道，截至2025年底，公司积压于手订单达388亿欧元，其中EUV体系积压订单达255亿欧元，占比65%。
知情者士指出："三星将于来年底前延续强化1c DRAM 之供给本领，意于提前卡位下一代商场。
韩国媒体Sedaily援引知情者士之消息报道称，三星电子已确定向光刻机大厂ASML与佳能订购之约70台光刻机，总金额高达10万亿韩元（约67亿美元），其中包含20台EUV光刻设备。
相较于HBM，1c DRAM 主打通用化、规模化供给，为AI效劳器、移动终端之核心根基，同时也为 HBM4/HBM4E 之最佳核心片。
根据预计，SK海力士采购之此些EUV光刻机将主要用于前卫DRAM芯片与HBM芯片之制造。
近日，存储芯片大厂SK海力士宣布将于2027年12月31日前向荷兰ASML采购身价11.95万亿韩元（约79.7亿美元）之极紫外光（EUV）光刻机，旨于对付日益增益之内存芯片需求。
二为通用 DRAM 产能之弹性调控与价码主导力。
从此组数据中，首先能捕捉到两名核心讯息：一为ASML之EUV年出货量始终维持于40-55台之区间，产能释放呈现"缓慢线性增益"之特征，并未现爆发式提升——此与EUV设备之制造繁度直接相关，一台EUV集结超过12万名高精度零部件，依赖德国蔡司之光学体系、美国Cymer之极紫外光源等全球独家供应商，任何一名环节之产能瓶颈皆会限制整体出货。
该公司第三季度HBM位单元出货量环比激增85%，主要由于始向英伟达交付第五代HBM3E货品。
月之暗面。于此之前，先来看一组 ASML 历年光刻机之出货量数据。
2026年之半导体圈，正上演一场现状版之"抢椅子"游戏。
此种技艺路径之转变，意味之厂商对光刻精度之极致追寻将有所放缓，进而弱化对EUV光刻机之需求。
该交易已作为正式披露文书提交给韩国监管机构，并成为近年来ASML主顾公开之最大一笔EUV光刻机采购订单。
警惕2028年过剩，为之眼于远期之险情防控；而今抢购EUV，则为对付近期商场刚需、对付行业角逐、推进货品架构晋级之必然选择。
而搅动此场战局之核心变量，正为AI引爆之存储需求。
根据筹划，三星1c DRAM产能将于2025年第四季度率先达到每月6万片产能，2026年第二季度再新增8万片产能，并于2026年第四季进一步扩增6万片，届时整体月产能达到20万片。
扩产后之1c DRAM将主要用于知足英伟达等大型科技公司之订单需求。
HBM为3D堆叠+体系级集结预案，需通过TSV硅通孔、超薄减薄、多层键合及CoWoS等前卫封装技艺，将多颗DRAM Die与基片垂直整顿，技艺链路极繁。
因此，半导体制造之前景要点，或将从单纯依靠光刻机缩特征尺寸，转向更繁枢纽之刻蚀与薄膜沉积工艺。
DRAM前景也有类似之3D堆叠层数之技艺路线图。
第二，两家公司1c DRAM现有产能基数、2026年底筹划产能之落地路径及产能爬坡节奏。
逻辑变之。
与此同时，三星也于配合Rubin GPU上市节奏，扩华城H3 工厂17线，以及平泽P3、P4 工厂之HBM4 产能。
当下，三星与SK海力士皆已释放扩产1c DRAM之核心讯息。
此外，近存计算预案之演进增之 TSV 刻蚀需求，TSV 工艺中刻蚀与填充设备占比接近 70%，进一步增之刻蚀设备之需求。
若三星也谋划采购20台EUV，且同样谋划于2027年底前交付，彼么SK海力士与三星之订单合计将达到50台，占ASML两年产能之一半以上，此将大幅挤压台积电、英特尔等其他头部主顾之产能配额。
据悉，SK海力士已将1c DRAM之良率提升至80%以上，该制程主要用于制造DDR5、LPDDR与GDDR7等最新通用DRAM货品。
尽管三星之采购传闻未得到证实，但此一消息本身就折射出当前半导体行业对光刻机之迫切需求。
1cDRAM则为DRAM制程之迭代晋级，核心为通过4F²单元架构、EUV曝光改良实现单Die密度提升与良率改善，无需重构产线，直接复用现有DRAM成熟产线即可量产。
二为2024年出货量较2023年有所下滑，2025年虽有回升但未突围2023年峰值，此背后既有ASML产能调理之因素，也反映出前两年行业扩产潮后，部分企业进入产能消化期，而2025年之回升则与AI驱动下高端存储、前卫逻辑芯片之需求回春直接相关。
决战1c节点之胜负手，压给光刻机 长期以来，DRAM之密度提升高度依赖于制程微缩，此使得对EUV等高端光刻机之投入成为刚性需求。
其中或许包含SK海力士之已下订单，因此倘若三星与SK海力士均于当下向ASML追加大量EUV订单，短期内也难以得充足之产能配额。
该HBM4将搭载于英伟达最新Rubin GPU中。
因此，三星与SK海力士当下大量采购EUV光刻机，与警惕2028年产能过剩并不纠葛。
2026年作为全球DRAM行业之"1c节点爆发年"，此场制程微缩竞赛已全面迈入第六代10nm级1cDRAM时代，成为AI算力爆发底色下高端内存供给之核心战场。
与此同时，SK海力士亦多次公开表态，将以实际需求而非乐观预期作为扩产依据。
主要会部署于两名晶圆厂：一名为SK海力士位于龙仁之新晶圆厂，该晶圆厂谋划于2027年2月投产；另一名则为位于清州之M15X工厂，该晶圆厂专门用于制造高带宽内存芯片。
第四，ASML之EUV产能供给本领、交付周期及现有订单积压情况，能否匹配两大龙头之扩产需求。
长期以来，DRAM之密度提升高度依赖于制程微缩，此使得对EUV等高端光刻机之投入成为刚性需求。
上文提到，此批设备将分别部署于清州M15X工厂与于建之龙仁半导体集群，其中龙仁基地之首座洁净室启用光阴已从2027年5月提前至2027年2月，与设备交付节奏高度匹配。
如图所示，三星之EUV 光刻机持有量已超过SK海力士之两倍，此一设备数量优势直接映射到产能层面——于存储芯片制造中，光刻机部署密度为前卫制程产能释放之核心约束机缘，而多层EUV光刻更为10nm级以下工艺量产之核心先决。
反过来思考，SK 海力士敲定 30 台 EUV 订单、三星或或采购 20 台之情况下，ASML 之产能能否跟上。
此也为SK海力士自1983年成立以来首次于全球存储器商场占据主导身价。
于此一轮游戏中，光刻机便为此把"椅子"。
三星于2026年2月宣布，已率先达成HBM4之量产，并向全球最大AI芯片公司英伟达发货。
同时，3D NAND 堆叠层数不断增，每层薄膜厚度要求严苛，ALD 与 CVD 协同工艺成为主流，此皆对薄膜沉积设备提出之更高要求。
随之3D 堆叠存储之演进，3D NAND 为提升存储密度，将存储单元垂直堆叠，层数不断增，目前主流货品已超过 300 层，前景还将向 1000 层迈进。
SK海力士决定至少于2026年上半年之前，保HBM3E于所有HBM货品中最高之产量占比。
商场预计，Rubin GPU将于2026年下半年正式出货，以供应给谷歌、亚马逊等美国科技大厂，并带来超过1万亿美元之商场规模。
然而EUV光刻机之产能存硬约束，当下不抢购，前景几年将彻底失高端赛道之角逐力。
SK 海力士已明确，将基于第六代 10nm 级 1c 制程 32Gb DRAM 裸片打造 HBM4E 内存。
据韩国媒体报道，三星内部预计本轮存储短缺将于2028年前后趋于缓解，并据此校准注资节奏，以免除重蹈过度扩充之覆辙。
存储厂成EUV大买家 不同制造制造本领带来之商场角逐力差异 相应之对刻蚀设备之需求量与性能要求呈指数级增益，比如从 32 层提升到 128 层时，刻蚀设备用量占比从 35% 提升至 48%。
不过三星方面随后回应称，该消息并不属实，公司至今尚未作出相关决策。
第五，为否需警惕2028年产能集中释放导致之过剩险情。
剖析指出，相比需繁堆叠工艺之HBM，1c DRAM之制造效能更高，能够更快速响应商场需求之爆发式增益。
去岁9月，SK海力士成HBM4掘发，但随后于去岁12月，SK海力士宣布HBM4之量产已推迟至2026年3月或4月，HBM4产能大幅扩充之光阴也进行之灵活调理。
同期SK海力士以137.9亿美元之销售额位居第二，商场份额为34.4%，与三星电子之差距仅为0.4名百分点。
此略高于其之前预测之SK海力士两年内将采购26台EUV光刻机之数量。
DRAM 对光刻机之依赖程度，也将明显低于当前水平。
" 日前，调研机构BOFA公布之2021到2025年为止之EUV光刻机数量，如下所示： SK海力士方面，据韩国媒体报道，SK海力士谋划2026年将1c DRAM月产能从目前约2万片300mm晶圆提升至16万至19万片，增幅达8至9倍，占其DRAM总产能之三分之一以上。
实在之光阴节点以设备成安装为基准，宗旨为于上述各名阶段具备立即量产机缘。
2028年，产能过剩。
Eco-tech。此一方略调理反映出AI推演应用对本金成效更高之通用DRAM需求激增，该公司正将方略重心从HBM扩展至更广泛之AI内存商场。
第三，不同制造制造本领带来之商场角逐力差异。
DRAM技艺下一步，该抢什么。
无独有偶，存储龙头三星也传出之大举采购光刻机之动作。